Kategória:
Párhuzamos buszú gyors EEPROM-ok

 16K (2048x8) CMOS FLASH MEMÓRIA

Jelölések:
x:  A   1  msec Írási ciklus idő
    AF 0.2 msec Írási ciklus idő
    
nn: hozzáférési idő
    12  120 nsec
    15  150 nsec
    17  170 nsec
    20  200 nsec
    25  250 nsec
i: hőmérséklet tartomány
    - 0 - +70  °C  standard
    I -40 +80  °C
    E -40 +125 °C
k: tokozás
    J  kerámia DIP 28
    P  Plastik DIP 28

5 V-os működés.

Saját-idejű Írási ciklus
 (automatikus törléssel).

10.000 törlő/író ciklus.

Adat-tartás > 10 év.

Elektromosan törölhető és újra-
programozható memória. Az EPROM-
nál magasabb funkcionalitása és
illeszthetősége chip-törölhetősé-
géből adódik a tesztelés, prog-
ramozás vagy rendszerfutás alatt.
A gyors hozzáférés lehetővé teszi
az interfészt a legtöbb mikrocont-
rollerrel és mikroprocesszorral.

Gyors elektromos chip törlés
   1 percen belül

Alacsony áram-igény:
   passzivan 100 µA max.
   AktívAN    30 mA max.
    
Parancs regiszter architektura a
mikrocontroller/mikroprocesszor
kompatibilis író interfésszel.

JEDEC standard byte-szerű
EPROM lábkimenet

+--------+---+---+---+------+
|  Mód   |-CE|-OE|-WE| I/O  |
+--------+---+---+---+------+
|Olvasás | L | L | H | Dout |
|Standby | H | X | X | Hi-Z |
|Írás    | L | H | L | Din  |
+--------+---+---+---+------+